2016年12月30日，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目，在武汉东湖高新区正式动工建设。

该项目总投资240亿美元，主要生产存储器芯片，总占地面积1968亩。

赵伟国董事长陪同国家工信部刘利华副部长等领导实地调研国家存储器基地建设情况
 
        国家工信部副部长刘利华、工信部电子信息司司长刁石京、国家发改委高技术产业司副司长孙伟、国家科技部重大专项办副巡视员邱钢、国家开发银行评审二局副局长李力锋，国家集成电路产业投资基金公司董事长王占甫、总经理丁文武、监事长王彦欣，华芯管理公司常务副总裁高松涛等，与湖北省副省长许克振，武汉市委常委、常务副市长龙正才，武汉市委常委、东湖高新区党工委书记胡立山，武汉市副市长邵为民，东湖高新区管委会主任张文彤等领导莅临项目现场调研。紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国向到场领导介绍项目情况。

紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国汇报项目情况

        赵伟国董事长强调，国家存储器基地正式动工建设不仅仅是一个项目的开工，更具有特别的意义，一是存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的辽宁号航空母舰出海试航。二是存储器基地项目的运作，是一种新模式的成功探索，这种新模式就是“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”的三合一。三是存储器基地项目投资强度大，是中国集成电路行业单体投资最大的项目，也是湖北省最大的投资项目，也是中国最大的单体投资项目。

武汉市委常委、常务副市长龙正才发表讲话

        工业和信息化部和发展改革委相关领导表示，国家存储器基地项目的实施必将进一步带动湖北省、武汉市集成电路产业发展，推动中部地区崛起和经济专型升级，促进我国集成电路产业向更高水平发展。将会同有关部门和地方，加强规划引导，大力推动、重点支持国家存储器基地项目建设，着力促进产业集聚和产业链协同。

国家发改委高技术产业司副司长孙伟发表讲话

        此次正式开工建设的国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

国家工信部副部长刘利华发表讲话

        集成电路是信息技术产业的核心，是支撑社会经济发展和保障国家信息安全、产业安全的战略性、基础性和先导性产业，是世界各国和地区综合竞争力的集中体现。存储器最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，据统计，存储芯片在整个芯片市场占比超过25%，未来将达到45%左右。

湖北省副省长许克振宣布国家存储器基地项目正式开工

        据悉，位于武汉的国家存储器基地项目将以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。项目建成后，以此为龙头将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，将为中国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。

        目前，湖北省和武汉市正在举全省、全市之力，聚全球资源，将这一项目打造成湖北省调结构、实现转型跨越发展的千亿高科技产业项目。此前，湖北省已拥有芯片设计、制造、封装材料等相关企业 60 多家，武汉则是国家重点支持的集成电路四大产业聚区之一。作为项目承载地的武汉东湖高新区，正在加快引进芯片设计、封装测试等环节的重点企业，积极打造集成电路产业生态体系，并正在组建武汉国际微电子学院、集成电路工业研究院、国家IP交易中心，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。